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低漏电技术
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低漏电技术


40纳米逻辑制程中芯国际是中国大陆第一家提供40纳米技术的晶圆厂。40纳米标准逻辑制程提供低漏电(LL)器件平台,核心组件电压1.1V,涵盖三种不同阈值电压,以及输入/输出组件 2.5V电压(超载 3.3V, 低载 1.8V)以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术,应力技术,超浅结技术以及低介电常数介质。此技术实现了高性能和低功耗的完美融合,适用于所有高性能和低功率的应用,如手机基带及应用处理器,平板电脑多媒体应用处理器,高清晰视频处理器以及其它消费和通信设备芯片。

特点:

  • 核心组件电压:1.1V (LL);可增压值1.2V
  • 具三种不同阈值电压的核心组件易于设计优化
  • 输入/输出组件电压:2.5V(超载 3.3V,低载 1.8V)
  • 单埠及双端口SRAM存储单元,并提供内存编译器
  • 关键层的193纳米浸润式微影技术
  • 提高迁移率的应力技术
  • 形成超浅接的毫秒级退火
  • 1P10M,采用Low-k超低电介质材料(2.7)的铜互连工艺
  • 焊线及覆晶选项


40纳米低功耗制程生产的集成电路芯片,各项工艺指标以及成品率均达到国际先进主流水平,具有高集成度、高性能、低功耗、低成本的优点。

    产品涵盖智能手机、数字电视、机顶盒、安防监控、无线射频、汽车电子、卫星导航等各个领域。已被国内外客户广泛采用。